MLS3415A SOT-23

广东佳讯电子有限责任公司产品介绍 MLS3415A -19V/-5A P沟道MOSFET 产品概述 MLS3415A是一款采用先进沟槽技术设计的P沟道MOSFET，专为高效能、低功耗应用场景优化。其核心优势在于极低的导通电阻（𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on)）与栅极电荷，可显著提升系统效率，适用于高密度电源管理与精密电子设备。核心特点低导通电阻： 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on) 典型值低至 35mΩ（𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−3𝐴VGS=−4.5V,ID=−3A），最大 50mΩ，有效降低导通损耗。低栅极电荷：总栅极电荷（𝑄𝑔Qg）仅 8.5nC，支持快速开关，提升高频应用性能。高可靠性：漏源击穿电压 -19V，最大结温 150℃，适应严苛工作环境。紧凑封装： SOT-23 封装，体积小巧，适合空间受限的PCB布局。典型应用视频显示器电源模块便携设备电源管理（DC-DC转换器、负载开关）电池保护电路工业控制系统关键参数参数条件典型值最大值单位漏源电压 𝑉𝐷𝑆VDS - -19V -20.7V V 连续漏极电流 𝐼𝐷ID 𝑇𝐶=25℃TC=25℃ - -5A A 导通电阻 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on) 𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−3𝐴VGS=−4.5V,ID=−3A 35mΩ 50mΩ mΩ 总栅极电荷 𝑄𝑔Qg 𝑉𝐷𝑆=−10𝑉,𝐼𝐷=−3𝐴VDS=−10V,ID=−3A 8.5nC - nC 热阻 𝑅𝜃𝐽𝐴RθJA 结到环境热阻 125 - ℃/W 封装与包装信息封装类型：SOT-23（标记为 3415A）包装规格：最小包装：3,000件/卷（7寸卷盘）内盒：45,000件外箱：180,000件机械尺寸：符合SOT-23标准，支持自动化贴装，详细尺寸见技术文档。质量与可靠性符合工业级温度范围（存储温度 -55℃至150℃）。通过严格的动态电气特性测试（开关时间、电容特性等），确保稳定运行。更多技术细节与图表支持完整参数曲线（如输出特性、栅极电荷曲线、安全工作区）及封装图纸，请点击文件下载技术文档：广东佳讯电子有限责任公司以创新技术赋能电子设计，专注高性价比功率器件解决方案！

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产品描述

广东佳讯电子有限责任公司产品介绍
MLS3415A -19V/-5A P沟道MOSFET

产品概述

MLS3415A是一款采用先进沟槽技术设计的P沟道MOSFET，专为高效能、低功耗应用场景优化。其核心优势在于极低的导通电阻（𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on)）与栅极电荷，可显著提升系统效率，适用于高密度电源管理与精密电子设备。

核心特点

低导通电阻：
- 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on) 典型值低至 35mΩ（𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−3𝐴VGS=−4.5V,ID=−3A），最大 50mΩ，有效降低导通损耗。
低栅极电荷：
- 总栅极电荷（𝑄𝑔Qg）仅 8.5nC，支持快速开关，提升高频应用性能。
高可靠性：
- 漏源击穿电压 -19V，最大结温 150℃，适应严苛工作环境。
紧凑封装：
- SOT-23 封装，体积小巧，适合空间受限的PCB布局。

典型应用

视频显示器电源模块
便携设备电源管理（DC-DC转换器、负载开关）
电池保护电路
工业控制系统

关键参数

参数	条件	典型值	最大值	单位
漏源电压 𝑉𝐷𝑆VDS	-	-19V	-20.7V	V
连续漏极电流 𝐼𝐷ID	𝑇𝐶=25℃TC=25℃	-	-5A	A
导通电阻 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on)	𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−3𝐴VGS=−4.5V,ID=−3A	35mΩ	50mΩ	mΩ
总栅极电荷 𝑄𝑔Qg	𝑉𝐷𝑆=−10𝑉,𝐼𝐷=−3𝐴VDS=−10V,ID=−3A	8.5nC	-	nC
热阻 𝑅𝜃𝐽𝐴RθJA	结到环境热阻	125	-	℃/W

封装与包装信息

封装类型：SOT-23（标记为 3415A）
包装规格：
- 最小包装：3,000件/卷（7寸卷盘）
- 内盒：45,000件
- 外箱：180,000件
机械尺寸：符合SOT-23标准，支持自动化贴装，详细尺寸见技术文档。

质量与可靠性

符合工业级温度范围（存储温度 -55℃至150℃）。
通过严格的动态电气特性测试（开关时间、电容特性等），确保稳定运行。

更多技术细节与图表支持
完整参数曲线（如输出特性、栅极电荷曲线、安全工作区）及封装图纸，请点击文件下载技术文档：

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