MLS3415E SOT-23

广东佳讯电子有限责任公司产品介绍 MLS3415E -20V/-5A P沟道MOSFET 产品概述 MLS3415E是一款基于先进沟槽技术的P沟道MOSFET，专为高性能电源管理与高效能系统设计。其核心优势在于更低的导通电阻（𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on)）与增强的电压耐受能力，适用于高电压、高可靠性场景，如工业电源模块与精密电子设备。核心特点更低导通电阻： 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on) 典型值 37mΩ（𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−4𝐴VGS=−4.5V,ID=−4A），最大 45mΩ，显著降低功率损耗，提升系统效率。高压耐受能力：漏源击穿电压 -20V，栅源电压范围 ±12V，支持更严苛的电压环境。高效散热设计：最大功率耗散 1.5W，热阻 90℃/W（结到环境），散热性能优于同类产品。快速开关性能：总栅极电荷（𝑄𝑔Qg）9.5nC，开关时间短（如上升时间 8.9nS），适配高频应用需求。典型应用工业级电源管理系统（如DC-DC转换器、电机驱动）高分辨率视频显示器电源模块电池保护与充放电控制电路通信设备负载开关关键参数参数条件典型值最大值单位漏源电压 𝑉𝐷𝑆VDS - -20V -20V V 连续漏极电流 𝐼𝐷ID 𝑇𝐶=25℃TC=25℃ - -5A A 导通电阻 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on) 𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−4𝐴VGS=−4.5V,ID=−4A 37mΩ 45mΩ mΩ 总栅极电荷 𝑄𝑔Qg 𝑉𝐷𝑆=−10𝑉,𝐼𝐷=−4𝐴VDS=−10V,ID=−4A 9.5nC - nC 热阻 𝑅𝜃𝐽𝐴RθJA 结到环境热阻 90 - ℃/W 封装与包装信息封装类型：SOT-23（标记为 R15）包装规格：最小包装：3,000件/卷（7寸卷盘）内盒：45,000件外箱：180,000件机械尺寸：符合SOT-23标准，支持自动化贴装，详细尺寸见技术文档。质量与可靠性工业级温度范围（存储温度 -55℃至150℃），适应极端环境。通过严格的动态测试（如开关时间、电容特性），确保高频应用下的稳定性。更多技术细节与图表支持完整参数曲线（输出特性、栅极电荷曲线、安全工作区）及封装图纸，请访问文件下载技术文档：广东佳讯电子有限责任公司以创新驱动效能，专注高可靠性功率器件解决方案！

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产品描述

广东佳讯电子有限责任公司产品介绍
MLS3415E -20V/-5A P沟道MOSFET

产品概述

MLS3415E是一款基于先进沟槽技术的P沟道MOSFET，专为高性能电源管理与高效能系统设计。其核心优势在于更低的导通电阻（𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on)）与增强的电压耐受能力，适用于高电压、高可靠性场景，如工业电源模块与精密电子设备。

核心特点

更低导通电阻：
- 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on) 典型值 37mΩ（𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−4𝐴VGS=−4.5V,ID=−4A），最大 45mΩ，显著降低功率损耗，提升系统效率。
高压耐受能力：
- 漏源击穿电压 -20V，栅源电压范围 ±12V，支持更严苛的电压环境。
高效散热设计：
- 最大功率耗散 1.5W，热阻 90℃/W（结到环境），散热性能优于同类产品。
快速开关性能：
- 总栅极电荷（𝑄𝑔Qg）9.5nC，开关时间短（如上升时间 8.9nS），适配高频应用需求。

典型应用

工业级电源管理系统（如DC-DC转换器、电机驱动）
高分辨率视频显示器电源模块
电池保护与充放电控制电路
通信设备负载开关

关键参数

参数	条件	典型值	最大值	单位
漏源电压 𝑉𝐷𝑆VDS	-	-20V	-20V	V
连续漏极电流 𝐼𝐷ID	𝑇𝐶=25℃TC=25℃	-	-5A	A
导通电阻 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)RDS(on)	𝑉𝐺𝑆=−4.5𝑉,𝐼𝐷=−4𝐴VGS=−4.5V,ID=−4A	37mΩ	45mΩ	mΩ
总栅极电荷 𝑄𝑔Qg	𝑉𝐷𝑆=−10𝑉,𝐼𝐷=−4𝐴VDS=−10V,ID=−4A	9.5nC	-	nC
热阻 𝑅𝜃𝐽𝐴RθJA	结到环境热阻	90	-	℃/W

封装与包装信息

封装类型：SOT-23（标记为 R15）
包装规格：
- 最小包装：3,000件/卷（7寸卷盘）
- 内盒：45,000件
- 外箱：180,000件
机械尺寸：符合SOT-23标准，支持自动化贴装，详细尺寸见技术文档。

质量与可靠性

工业级温度范围（存储温度 -55℃至150℃），适应极端环境。
通过严格的动态测试（如开关时间、电容特性），确保高频应用下的稳定性。

更多技术细节与图表支持
完整参数曲线（输出特性、栅极电荷曲线、安全工作区）及封装图纸，请访问文件下载技术文档：

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