MLS2016 SOT-23

广东佳讯电子 MLS2016 20V/3.2A N沟道MOSFET产品描述产品概述 MLS2016 是一款基于沟槽型低压（LV）MOSFET技术的N沟道功率器件，具备20V耐压与3.2A连续电流能力。其通过优化设计实现超低导通电阻（RDS(ON)），支持高速开关与高效功率管理，适用于PWM控制及负载开关场景。产品采用SOT-23封装，符合工业级可靠性标准，兼顾性能与紧凑布局需求。核心特性高性能参数耐压与电流能力：漏源电压（VDS）：20V（最大值）连续漏极电流（ID）：3.2A（VGS=10V，TC=25℃）脉冲漏极电流（IDM）：10A（TC=25℃）超低导通电阻： RDS(ON)：47mΩ（VGS=4.5V，ID=3.6A） / 65mΩ（VGS=2.5V，ID=3.1A）高速开关特性：开关延迟时间：7ns（导通） / 15ns（关断）总栅极电荷（Qg）：3.6nC（VDS=10V，ID=3.2A）电气可靠性栅源耐压（VGS）：±10V（最大值）漏源击穿电压（BV DSS）：20V（VGS=0V，ID=250μA）低漏电流：零栅压漏电流（IDSS）：<1μA（VDS=20V）栅极漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±10V）温度适应性工作结温（TJ）：-50℃ ~ 150℃ 热阻（RθJA）：178℃/W（稳态条件下）最大功率耗散（PD）：0.7W（TC=25℃）应用领域 PWM控制：电机调速、LED驱动电源管理：DC-DC转换器、负载开关便携设备：移动电源、USB Type-C接口控制工业系统：继电器驱动、自动化设备电源模块封装与订购封装类型：SOT-23（贴片封装，尺寸详见规格书）包装规格：最小包装：3,000颗/卷带整箱数量：180,000颗型号标识：MLS2016（封装标记“WT6X”，X代表生产月份）产品优势高效节能：超低导通电阻减少热损耗，提升系统能效。快速响应：纳秒级开关速度，适配高频PWM电路需求。高可靠性：宽温域设计与工业级耐压，适应严苛工作环境。紧凑布局：SOT-23封装节省PCB空间，支持高密度集成。适用场景广泛用于消费电子、工业控制、新能源设备及便携式产品的电源管理模块，是优化功率密度与能效比的理想选择。

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产品描述

广东佳讯电子 MLS2016 20V/3.2A N沟道MOSFET产品描述

产品概述
MLS2016 是一款基于沟槽型低压（LV）MOSFET技术的N沟道功率器件，具备20V耐压与3.2A连续电流能力。其通过优化设计实现超低导通电阻（RDS(ON)），支持高速开关与高效功率管理，适用于PWM控制及负载开关场景。产品采用SOT-23封装，符合工业级可靠性标准，兼顾性能与紧凑布局需求。

核心特性

高性能参数
- 耐压与电流能力：
  - 漏源电压（VDS）：20V（最大值）
  - 连续漏极电流（ID）：3.2A（VGS=10V，TC=25℃）
  - 脉冲漏极电流（IDM）：10A（TC=25℃）
- 超低导通电阻：
  - RDS(ON)：47mΩ（VGS=4.5V，ID=3.6A） / 65mΩ（VGS=2.5V，ID=3.1A）
- 高速开关特性：
  - 开关延迟时间：7ns（导通） / 15ns（关断）
  - 总栅极电荷（Qg）：3.6nC（VDS=10V，ID=3.2A）
电气可靠性
- 栅源耐压（VGS）：±10V（最大值）
- 漏源击穿电压（BV DSS）：20V（VGS=0V，ID=250μA）
- 低漏电流：
  - 零栅压漏电流（IDSS）：<1μA（VDS=20V）
  - 栅极漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±10V）
温度适应性
- 工作结温（TJ）：-50℃ ~ 150℃
- 热阻（RθJA）：178℃/W（稳态条件下）
- 最大功率耗散（PD）：0.7W（TC=25℃）

应用领域

PWM控制：电机调速、LED驱动
电源管理：DC-DC转换器、负载开关
便携设备：移动电源、USB Type-C接口控制
工业系统：继电器驱动、自动化设备电源模块

封装与订购

封装类型：SOT-23（贴片封装，尺寸详见规格书）
包装规格：
- 最小包装：3,000颗/卷带
- 整箱数量：180,000颗
型号标识：MLS2016（封装标记“WT6X”，X代表生产月份）

产品优势

高效节能：超低导通电阻减少热损耗，提升系统能效。
快速响应：纳秒级开关速度，适配高频PWM电路需求。
高可靠性：宽温域设计与工业级耐压，适应严苛工作环境。
紧凑布局：SOT-23封装节省PCB空间，支持高密度集成。

适用场景
广泛用于消费电子、工业控制、新能源设备及便携式产品的电源管理模块，是优化功率密度与能效比的理想选择。

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