MLS03N04A SOT-23

广东佳讯电子 MLS03N04A 40V/3A N沟道MOSFET产品描述产品概述 MLS03N04A 是一款采用先进沟槽型低压（LV）MOSFET技术的N沟道功率器件，具备40V耐压与3A连续电流能力。其通过高密度单元设计实现超低导通电阻（RDS(ON)），同时支持高速开关，适用于高效电源管理与负载控制场景。产品采用SOT-23封装，符合工业级可靠性标准。核心特性高性能参数耐压与电流能力：漏源电压（VDS）：40V（最大值）连续漏极电流（ID）：3A（VGS=10V，TC=25℃）脉冲漏极电流（IDM）：12A（TC=25℃）超低导通电阻： RDS(ON)：65mΩ（VGS=10V，ID=2.5A） / 95mΩ（VGS=4.5V，ID=1.5A）高速开关特性：开关延迟时间：4.2ns（导通） / 7.9ns（关断）总栅极电荷（Qg）：5.5nC（VDS=10V，ID=3A）电气可靠性栅源耐压（VGS）：±20V（最大值）漏源击穿电压（BV DSS）：40V（VGS=0V，ID=250μA）低漏电流：零栅压漏电流（IDSS）：<1μA（VDS=40V）栅极漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±20V）温度适应性工作结温（TJ）：-50℃ ~ 150℃ 热阻（RθJA）：150℃/W（基于1平方英寸2盎司铜焊盘）应用领域电池保护：锂电池组充放电管理电源管理：DC-DC转换器、负载开关工业控制：电机驱动、继电器替代消费电子：便携设备电源模块、USB供电控制封装与订购封装类型：SOT-23（紧凑型贴片封装，尺寸详见规格书）包装规格：最小包装：3,000颗/卷带整箱数量：180,000颗型号标识：MLS03N04A（封装标记“4003”）产品优势高效节能：低导通电阻减少功率损耗，提升系统效率。快速响应：纳秒级开关速度，适用于高频电路设计。高可靠性：宽温度范围与工业级耐压设计，适配严苛环境。紧凑设计：SOT-23封装节省PCB空间，支持高密度布局。适用场景广泛应用于消费电子、工业自动化、新能源设备及便携式产品的电源管理模块，是优化能效与空间利用的理想解决方案。

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产品描述

广东佳讯电子 MLS03N04A 40V/3A N沟道MOSFET产品描述

产品概述
MLS03N04A 是一款采用先进沟槽型低压（LV）MOSFET技术的N沟道功率器件，具备40V耐压与3A连续电流能力。其通过高密度单元设计实现超低导通电阻（RDS(ON)），同时支持高速开关，适用于高效电源管理与负载控制场景。产品采用SOT-23封装，符合工业级可靠性标准。

核心特性

高性能参数
- 耐压与电流能力：
  - 漏源电压（VDS）：40V（最大值）
  - 连续漏极电流（ID）：3A（VGS=10V，TC=25℃）
  - 脉冲漏极电流（IDM）：12A（TC=25℃）
- 超低导通电阻：
  - RDS(ON)：65mΩ（VGS=10V，ID=2.5A） / 95mΩ（VGS=4.5V，ID=1.5A）
- 高速开关特性：
  - 开关延迟时间：4.2ns（导通） / 7.9ns（关断）
  - 总栅极电荷（Qg）：5.5nC（VDS=10V，ID=3A）
电气可靠性
- 栅源耐压（VGS）：±20V（最大值）
- 漏源击穿电压（BV DSS）：40V（VGS=0V，ID=250μA）
- 低漏电流：
  - 零栅压漏电流（IDSS）：<1μA（VDS=40V）
  - 栅极漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±20V）
温度适应性
- 工作结温（TJ）：-50℃ ~ 150℃
- 热阻（RθJA）：150℃/W（基于1平方英寸2盎司铜焊盘）

应用领域

电池保护：锂电池组充放电管理
电源管理：DC-DC转换器、负载开关
工业控制：电机驱动、继电器替代
消费电子：便携设备电源模块、USB供电控制

封装与订购

封装类型：SOT-23（紧凑型贴片封装，尺寸详见规格书）
包装规格：
- 最小包装：3,000颗/卷带
- 整箱数量：180,000颗
型号标识：MLS03N04A（封装标记“4003”）

产品优势

高效节能：低导通电阻减少功率损耗，提升系统效率。
快速响应：纳秒级开关速度，适用于高频电路设计。
高可靠性：宽温度范围与工业级耐压设计，适配严苛环境。
紧凑设计：SOT-23封装节省PCB空间，支持高密度布局。

适用场景
广泛应用于消费电子、工业自动化、新能源设备及便携式产品的电源管理模块，是优化能效与空间利用的理想解决方案。

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