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产品描述
■描述
●AP3400BI采用先进的沟槽技术，可提供出色的R-D（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。
■一般特征
●V-DS=30V，I-D=5.8A
●R-DS（ON）<28mΩ@V-GS=10V（类型：26mΩ）
品类: N通道增强模式MOSFET
应用: [ 不间断电源 ][ 电池保护 ][ 负载开关 ]
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